參數(shù)資料
型號(hào)： RN6001
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
中文描述： 東芝npn型晶體管硅外延型（厘進(jìn)程）
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
文件大?。?/td> 90K
代理商： RN6001
RN6001
2001-10-29
1
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
RN6001
Motor Drive Circuit Applications
Power Amplifier Applications
Power Switching Applications
With built-in bias resistors
Simplify circuit design
Reduce a quantity of parts and manufacturing process
Small flat package
P
C
= 1~2W (mounted on ceramic substrate)
Complementary to RN5001
Equivalent Circuit
Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Marking
Characteristic
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
V
CBO
30
V
Collector-emitter voltage
V
CEO
30
V
Emitter-base voltage
V
EBO
5
V
Collector current
I
C
2
A
Base current
I
B
0.4
A
Collector power dissipation
P
C
500
mW
Collector power dissipation
P
C
*
1000
mW
Junction temperature
T
j
150
°C
Storage temperature range
*
: Mounterd on ceramic substrate (250mm
2
× 0.8t)
T
stg
55~150
°C
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
Weight: 0.05g (typ.)
―
SC-62
2-5K1A
Unit: mm
相關(guān)PDF資料
PDF描述
RN6006 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
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