參數(shù)資料
型號(hào)： RFP30N06LE
廠商： Harris Corporation
英文描述： 30A, 60V, ESD Rated, Avalanche Rated, Logic Level N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs
中文描述： 30A條，60V的額定靜電，額定雪崩，邏輯電平N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 80K
代理商： RFP30N06LE
6-265
FIGURE 18. GATE CHARGE TEST CIRCUIT
FIGURE 19. GATE CHARGE WAVEFORMS
Test Circuits and Waveforms
(Continued)
R
L
V
GS
+
-
V
DS
V
DD
DUT
I
G(REF)
V
DD
Q
g(TH)
V
GS
= 1V
0
Q
g(5)
V
GS
= 5V
Q
g(TOT)
V
GS
= 10V
V
DS
V
GS
I
G(REF)
0
RFP30N06LE, RF1S30N06LESM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
RFP30N06LE 30A, 60V, ESD Rated, 0.047 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs
RFP30N06LE 30A, 60V, ESD Rated, 0.047 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs
RF1S30N06LESM 30A, 60V, ESD Rated, 0.047 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs
RF1S30N06LE 30A, 60V, ESD Rated, Avalanche Rated, Logic Level N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs
RF1S30N06LESM 30A, 60V, ESD Rated, Avalanche Rated, Logic Level N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
RFP30N06LE 制造商:Intersil Corporation 功能描述:MOSFET N LOGIC TO-220
RFP30N06LE_NL 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
RFP30N06LE_Q 功能描述:MOSFET TO-220AB N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
RFP-30N50T-S 制造商:ANAREN 制造商全稱:Anaren Microwave 功能描述:Aluminum Nitride Termination 30 Watts, 50W
RFP30N6LER4541 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation 功能描述:
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