參數(shù)資料
型號： RFD15P05
廠商： HARRIS SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： 15A, 50V, 0.150 Ohm,N-Channel PowerMOSFET(15A, 50V, 0.150 Ω,P溝道增強型功率MOS場效應(yīng)管)
中文描述： 15 A, 50 V, 0.15 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA
文件頁數(shù)： 6/8頁
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代理商： RFD15P05
4-101
FIGURE 18. GATE CHARGE TEST CIRCUIT
FIGURE 19. GATE CHARGE WAVEFORMS
Test Circuits and Waveforms
(Continued)
R
L
V
GS
+
-
V
DS
V
DD
DUT
I
g(REF)
V
DD
Q
g(TH)
V
GS
= -2V
Q
g(-10)
V
GS
= -10V
Q
g(TOT)
V
GS
= -20V
V
DS
-V
GS
I
g(REF)
0
0
RFD15P05, RFD15P05SM, RFP15P05
相關(guān)PDF資料
PDF描述
RFD15P06SM 15A, 60V, 0.150 Ohm, P-Channel Power MOSFETs(15A, 60V, 0.150 Ω,P溝道功率MOS場效應(yīng)管)
RFD15P06 15A, 60V, 0.150 Ohm, P-Channel Power MOSFETs(15A, 60V, 0.150 Ω,P溝道功率MOS場效應(yīng)管)
RFD16N02L 16A, 20V, 0.022 Ohm, N-Channel, Logic Level, Power MOSFET(16A, 20V, 0.022 Ω, N溝道,邏輯電平,功率MOS場效應(yīng)管)
RFD16N02LSM 16A, 20V, 0.022 Ohm, N-Channel, Logic Level, Power MOSFET(16A, 20V, 0.022 Ω, N溝道,邏輯電平,功率MOS場效應(yīng)管)
RFD16N03L 16A, 30V, 0.025 Ohm, Logic Level,N-Channel Power MOSFETs(16A, 30V, 0.025 Ω, N溝道功率MOS場效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
RFD15P05SM 功能描述:MOSFET TO-252AA P-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
RFD15P05SM9A 功能描述:MOSFET TO-252 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
RFD15P06 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:15A, 60V, 0.150 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
RFD15P06SM 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation 功能描述:
RFD-1604-2I 制造商:RF Industries 功能描述:RF COAXIAL CABLE MOUNT CONNECTOR
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