參數(shù)資料
型號(hào)： RFD14N05LSM
廠商： HARRIS SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： 14A, 50V, 0.100 Ohm, Logic Level,N-Channel Power MOSFETs(14A, 50V, 0.100 Ω, 邏輯電平N 溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： 14 A, 50 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
文件大小： 74K
代理商： RFD14N05LSM
6-139
FIGURE 12. NORMALIZED GATE THRESHOLD VOLTAGE vs
JUNCTION TEMPERATURE
FIGURE 13. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN
VOLTAGE vs JUNCTION TEMPERATURE
FIGURE 14. CAPACITANCE vs DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
NOTE: Refer to Intersil Application Notes AN7254 and AN7260,
FIGURE 15. TRANSCONDUCTANCE vs DRAIN CURRENT
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
-80
-40
0
40
80
120
160
0
0.5
1.0
1.5
2.0
N
T
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
200
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
μ
A
2.0
1.5
1.0
0.5
0
-80
-40
0
40
80
120
160
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
N
B
200
I
D
= 250
μ
A
800
200
0
0
5
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
15
20
25
C
400
C
ISS
C
OSS
C
RSS
600
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GD
40
30
20
10
0
20
)
)
IG ACT
t, TIME (
μ
s)
80
)
)
IG ACT
5
3
2
1
0
V
DD
= BV
DSS
V
DD
= BV
DSS
V
D
,
V
G
,
R
L
= 3.57
I
G(REF)
= 0.4mA
V
GS
= 5V
0.75 BV
DSS
0.50 BV
DSS
0.25 BV
DSS
50
4
RFD14N05L, RFD14N05LSM, RFP14N05L
相關(guān)PDF資料
PDF描述
RFP14N05L 14A, 50V, 0.100 Ohm, Logic Level,N-Channel Power MOSFETs(14A, 50V, 0.100 Ω, 邏輯電平N 溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
RFD14N05L MULTI DVI DAISY CHAINABLE RECEIVER - CATX
RFP14N05L GLARE SCREEN PLUS FOR CURVED M
RFD14N05LSM TV TO VGA/HDTV VIDEO SCALER
RFD15N06LE 15A, 60V, 0.065 Ohm, ESD Rated, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs(15A, 60V, 0.065 Ω,邏輯電平,N溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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RFD14N05LSM 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:PWR MOS 50V/14A/0.100 OHM N-CH LOGIC-LVL
RFD14N05LSM_Q 功能描述:MOSFET TO-252AA N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
RFD14N05LSM9A 功能描述:MOSFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
RFD14N05LSM9A_S2515 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
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