參數(shù)資料
型號： RF1S50N06LESM
廠商： HARRIS SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： 50A, 60V, 0.022 Ohm, Logic Level,N-Channel Power MOSFETs(50A, 60V, 0.022 Ω,邏輯電平,N溝道功率MOS場效應(yīng)管)
中文描述： 50 A, 60 V, 0.022 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
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代理商： RF1S50N06LESM
6
FIGURE 18. SWITCHING TIME TEST CIRCUIT
FIGURE 19. RESISTIVE SWITCHING WAVEFORMS
FIGURE 20. GATE CHARGE TEST CIRCUIT
FIGURE 21. GATE CHARGE WAVEFORMS
Test Circuits and Waveforms
(Continued)
V
GS
R
L
R
GS
DUT
+
-
V
DD
V
DS
V
GS
t
ON
t
d(ON)
t
r
90%
10%
V
DS
90%
10%
t
f
t
d(OFF)
t
OFF
90%
50%
50%
10%
PULSE WIDTH
V
GS
0
0
R
L
V
GS
+
-
V
DS
V
DD
DUT
I
g(REF)
V
DD
Q
g(TH)
V
GS
= 2V
0
Q
g(10)
OR Q
g(5)
V
GS
= 5V FOR
L
2
DEVICES
Q
g(TOT)
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V FOR
L
2
DEVICES
V
DS
V
GS
I
g(REF)
0
V
GS
= 1V FOR
L
2
DEVICES
V
GS
= 10V
RFG50N06LE, RFP50N06LE, RF1S50N06LESM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
RFP50N06LE CAP Tantalum-Wet Miniature 6V 8.0 uF +/-5% Silver can Axial High Reliability , TPC - Hilton
RFG50N06LE 50A, 60V, 0.022 Ohm, Logic Level,N-Channel Power MOSFETs(50A, 60V, 0.022 Ω,邏輯電平,N溝道功率MOS場效應(yīng)管)
RF1S50N06SM 50A, 60V, 0.022 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
RF1S50N06SM 50A, 60V, 0.022 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
RF1S530SM 14A, 100V, 0.160 Ohm, N-Channel Power MOSFETs(14A, 100V, 0.160 Ohm,N溝道增強(qiáng)型功率MOS場效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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RF1S50N06SM9A 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
RF1S50N06SM9AS2551 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
RF1S530 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
RF1S530SM 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
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