參數(shù)資料
型號(hào)： RF1S30P05SM
廠商： HARRIS SEMICONDUCTOR
元件分類： JFETs
英文描述： 30A, 50V, 0.065 Ohm,N-Channel PowerMOSFET(30A, 50V, 0.065 Ω,N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： 30 A, 50 V, 0.065 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
文件大?。?/td> 70K
代理商： RF1S30P05SM
4-130
FIGURE 12. CAPACITANCE vs DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
NOTE: Refer to Intersil Application Notes AN7254 and AN7260.
FIGURE 13. NORMALIZED SWITCHING WAVEFORMS FOR
CONSTANT GATE CURRENT
Test Circuits and Waveforms
FIGURE 14. UNCLAMPED ENERGY TEST CIRCUIT
FIGURE 15. UNCLAMPED ENERGY WAVEFORMS
FIGURE 16. SWITCHING TIME TEST CIRCUIT
FIGURE 17. RESISTIVE SWITCHING WAVEFORMS
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
3000
2000
1000
0
0
-5
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
-10
-15
-20
-25
C
4000
C
ISS
C
OSS
C
RSS
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GS
-50
-37.5
-25
-12.5
0
DRAIN SOURCE VOLTAGE
-10
-7.5
-5
-2.5
0
GATE
SOURCE
VOLTAGE
V
D
,
V
G
,
I
G(REF)
I
G(ACT)
20
I
G(REF)
I
G(ACT)
80
t, TIME (
μ
s)
R
L
= 1.67
I
G(REF)
= 1.6mA
V
GS
= -10V
0.75 BV
DSS
0.50 BV
DSS
0.25 BV
DSS
V
DD
= BV
DSS
V
DD
= BV
DSS
t
P
0.01
L
I
AS
+
-
V
DS
V
DD
R
G
DUT
VARY t
P
TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I
AS
0V
V
GS
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
P
I
AS
t
AV
0
V
GS
R
L
R
GS
DUT
+
-
V
DD
V
DS
V
GS
t
d(ON)
t
r
90%
10%
V
DS
90%
t
f
t
d(OFF)
t
OFF
90%
50%
50%
10%
PULSE WIDTH
V
GS
0
t
ON
10%
0
RFG30P05, RFP30P05, RF1S30P05SM
相關(guān)PDF資料
PDF描述
RFP30P05 30A, 50V, 0.065 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
RFP30P06 30A, 60V, 0.065 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
RFG30P05 30A, 50V, 0.065 Ohm,N-Channel PowerMOSFET(30A, 50V, 0.065 Ω,N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
RF1S30P06 30A, 60V, 0.065 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
RF1S30P06SM 30A, 60V, 0.065 Ohm, P-Channel Power MOSFETs(30A, 50V, 0.066 Ω,P溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
RF1S30P05SM9A 功能描述:MOSFET -50V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
RF1S30P06 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
RF1S30P06SM 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
RF1S30P06SM9A 功能描述:MOSFET -60V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
RF1S40N10 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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