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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | RF1S30N06LESM |
| 廠商： | Harris Corporation |
| 英文描述： | 30A, 60V, ESD Rated, Avalanche Rated, Logic Level N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs |
| 中文描述： | 30A條，60V的額定靜電，額定雪崩，邏輯電平N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 188K |
| 代理商： | RF1S30N06LESM |
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
RFP30N06LE, RF1S30N06LESM Rev. B1
FIGURE 18. GATE CHARGE TEST CIRCUIT
FIGURE 19. GATE CHARGE WAVEFORMS
Test Circuits and Waveforms
(Continued)
R
L
V
GS
+
-
V
DS
V
DD
DUT
I
G(REF)
V
DD
Q
g(TH)
V
GS
= 1V
0
Q
g(5)
V
GS
= 5V
Q
g(TOT)
V
GS
= 10V
V
DS
V
GS
I
G(REF)
0
RFP30N06LE, RF1S30N06LESM
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RF1S30P05SM | 30A, 50V, 0.065 Ohm,N-Channel PowerMOSFET(30A, 50V, 0.065 Ω,N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管) |
| RFP30P05 | 30A, 50V, 0.065 Ohm, P-Channel Power MOSFETs |
| RFP30P06 | 30A, 60V, 0.065 Ohm, P-Channel Power MOSFETs |
| RFG30P05 | 30A, 50V, 0.065 Ohm,N-Channel PowerMOSFET(30A, 50V, 0.065 Ω,N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管) |
| RF1S30P06 | 30A, 60V, 0.065 Ohm, P-Channel Power MOSFETs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| RF1S30N06LESM9A | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| RF1S30N06LESM9AR4365 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| RF1S30N06LESMR4365 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| RF1S30P05 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| RF1S30P05SM | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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