型號: | RF1S22N10SM |
廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | 22A, 100V, 0.080 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
中文描述: | 22 A, 100 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
封裝: | TO-263AB, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 6/6頁 |
文件大?。?/td> | 49K |
代理商: | RF1S22N10SM |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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RFP22N10 | 22A, 100V, 0.080 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
RF1S23N06LESM | 23A, 60V, 0.065 Ohm, Logic Level,N-Channel Power MOSFETs(23A, 60V, 0.065 Ω,邏輯電平,N溝道功率MOS場效應(yīng)管) |
RFP23N06LE | 23A, 60V, 0.065 Ohm, Logic Level,N-Channel Power MOSFETs(23A, 60V, 0.065 Ω,邏輯電平,N溝道功率MOS場效應(yīng)管) |
RF1S25N06SM | 25A, 60V, 0.047 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
RF1S25N06 | 25A, 60V, 0.047 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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RF1S22N10SM9A | 功能描述:MOSFET 100V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
RF1S23N06LE | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
RF1S23N06LESM | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
RF1S23N06LESM9A | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
RF1S25N06 | 功能描述:MOSFET Power MOSFET N-Ch 60V/25a/0.047 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |