參數資料
型號: RF1S22N10SM
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 22A, 100V, 0.080 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
中文描述: 22 A, 100 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝: TO-263AB, 3 PIN
文件頁數: 5/6頁
文件大小: 49K
代理商: RF1S22N10SM
4-503
S
Test Circuits and Waveforms
FIGURE 12. UNCLAMPED ENERGY TEST CIRCUIT
FIGURE 13. UNCLAMPED ENERGY WAVEFORMS
FIGURE 14. SWITCHING TIME TEST CIRCUIT
FIGURE 15. RESISTIVE SWITCHING WAVEFORMS
FIGURE 16. GATE CHARGE TEST CIRCUIT
FIGURE 17. GATE CHARGE WAVEFORMS
t
P
V
GS
0.01
L
I
AS
+
-
V
DS
V
DD
R
G
DUT
VARY t
P
TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I
AS
0V
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
P
I
AS
t
AV
0
V
GS
R
L
R
GS
DUT
+
-
V
DD
V
DS
V
GS
t
ON
t
d(ON)
t
r
90%
10%
V
DS
90%
10%
t
f
t
d(OFF)
t
OFF
90%
50%
50%
10%
PULSE WIDTH
V
GS
0
0
R
L
V
GS
+
-
V
DS
V
DD
DUT
I
G(REF)
Q
g(TOT)
Q
gd
Q
gs
V
DS
0
V
GS
V
DD
I
G(REF)
0
RFP22N10, RF1S22N10SM
相關PDF資料
PDF描述
RFP22N10 22A, 100V, 0.080 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
RF1S23N06LESM 23A, 60V, 0.065 Ohm, Logic Level,N-Channel Power MOSFETs(23A, 60V, 0.065 Ω,邏輯電平,N溝道功率MOS場效應管)
RFP23N06LE 23A, 60V, 0.065 Ohm, Logic Level,N-Channel Power MOSFETs(23A, 60V, 0.065 Ω,邏輯電平,N溝道功率MOS場效應管)
RF1S25N06SM 25A, 60V, 0.047 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
RF1S25N06 25A, 60V, 0.047 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
相關代理商/技術參數
參數描述
RF1S22N10SM9A 功能描述:MOSFET 100V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
RF1S23N06LE 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
RF1S23N06LESM 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
RF1S23N06LESM9A 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
RF1S25N06 功能描述:MOSFET Power MOSFET N-Ch 60V/25a/0.047 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube