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參數(shù)資料
| 型號： | RC28F160C3TC90 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 1M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PBGA64 |
| 封裝： | BGA-64 |
| 文件頁數(shù)： | 17/72頁 |
| 文件大?。?/td> | 1083K |
| 代理商： | RC28F160C3TC90 |
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Intel Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3)
May 2005
Intel Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3)
Datasheet
24
Order Number: 290645, Revision: 023
6.2
DC Voltage Characteristics
Table 7.
DC Voltage Characteristics
Sym
Parameter
VCC
2.7 V–3.6 V
2.7 V–2.85 V
2.7 V–3.3 V
Unit
Test Conditions
VCCQ
2.7 V–3.6 V
1.65 V–2.5 V
1.8 V–2.5 V
Note
Min
Max
Min
Max
Min
Max
VIL
Input Low
Voltage
–0.4
VCC *
0.22 V
–0.4
0.4
–0.4
0.4
V
VIH
Input High
Voltage
2.0
VCCQ
+0.3V
VCCQ –
0.4V
VCCQ
+0.3V
VCCQ –
0.4V
VCCQ
+0.3V
V
VOL
Output Low
Voltage
–0.1
0.1
-0.1
0.1
-0.1
0.1
V
VCC = VCCMin
VCCQ = VCCQMin
IOL = 100 A
VOH
Output High
Voltage
VCCQ
–0.1V
VCCQ –
0.1V
VCCQ –
0.1V
V
VCC = VCCMin
VCCQ = VCCQMin
IOH = –100 A
VPPLK
VPP Lock-
Out Voltage
1
1.0
V
Complete Write
Protection
VPP1
VPP during
Program /
Erase
Operations
1
1.65
3.6
1.65
3.6
1.65
3.6
V
VPP2
1,2
11.4
12.6
11.4
12.6
11.4
12.6
V
VLKO
VCC Prog/
Erase
Lock
Voltage
1.5
V
VLKO2
VCCQ Prog/
Erase
Lock
Voltage
1.2
V
Notes:
1.
Erase and Program are inhibited when VPP < VPPLK and not guaranteed outside the valid VPP ranges of VPP1 and VPP2.
2.Applying VPP = 11.4 V–12.6 V during program/erase can only be done for a maximum of 1000 cycles on the main blocks and
2500 cycles on the parameter blocks. VPP may be connected to 12 V for a total of 80 hours maximum.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RC28F160C3BD70 | 1M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PBGA64 |
| RC4194K | DUAL OUTPUT, ADJUSTABLE MIXED REGULATOR, MBFM9 |
| RM4194K | DUAL OUTPUT, ADJUSTABLE MIXED REGULATOR, MBFM9 |
| RC4194D | DUAL OUTPUT, ADJUSTABLE MIXED REGULATOR, CDIP14 |
| RM4194D/883B | DUAL OUTPUT, ADJUSTABLE MIXED REGULATOR, CDIP14 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| RC28F160C3TD70 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Advanced+ Boot Block Flash Memory (C3) |
| RC28F160C3TD70A | 功能描述:IC FLASH 16MBIT 70NS 64BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:96 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:70ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 |
| RC28F160C3TD70B | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:16MB, ARMAGOSA EBGA 3.0 |
| RC28F256J3A-110 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3) |
| RC28F256J3A-115 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:Intel StrataFlash Memory (J3) |
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