參數(shù)資料
型號(hào)： PZTM1101
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-26482, Series I, Solder; Body Material:Aluminum; Series:PT00; Number of Contacts:4; Connector Shell Size:12; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle
中文描述： 0.2 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC PACKAGE-4
文件頁(yè)數(shù)： 4/7頁(yè)
文件大?。?/td> 31K
代理商： PZTM1101
1996 May 09
4
Philips Semiconductors
Product specification
NPN transistor/Schottky-diode module
PZTM1101
Notes
1.
2.
Measured under pulsed conditions: t
p
≤
300
μ
s;
δ ≤
0.01.
Limiting value for T
j
= 125
°
C; T
j
= 150
°
C with reverse current applied is not allowed as this may cause thermal
runaway leading to thermal destruction of the diode. A peak junction temperature of T
j
= 150
°
C is only allowed with
forward voltage applied.
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Refer to SOT223 standard mounting conditions.
Schottky barrier diode
V
F
forward voltage
I
F
= 100 mA; note 1
I
F
= 100 mA; T
amb
=
55 to +150
°
C; note 1
I
F
= 1 A; note 1
I
F
= 1 A; T
amb
=
55 to +150
°
C; note 1
V
R
= 40 V; note 1
V
R
= 40 V; T
j
= 125
°
C;
T
amb
=
55 to +150
°
C; note 1
V
R
= 10 V; note 1
V
R
= 10 V; T
j
= 125
°
C;
T
amb
=
55 to +150
°
C; note 1
V
R
= 0 V; f = 1 MHz
330
400
500
560
300
35
(2)
mV
mV
mV
mV
μ
A
mA
I
R
reverse current
I
R
reverse current
40
15
(2)
μ
A
mA
C
j
junction capacitance
250
pF
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to ambient (combined device) note 1
100
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PZTM1102 Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-26482, Series I, Solder; Body Material:Aluminum; Series:PT00; Number of Contacts:8; Connector Shell Size:12; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle
R1110N LOW NOISE 150mA L.D.O REGULATOR
R1110N301B-TR CAP 15PF 200V 0.5PF C0H DIP-2 TUBE-PAK S-MIL-PRF-39014/22
R1110N501A-TR LOW NOISE 150mA L.D.O REGULATOR
R1110N501B LOW NOISE 150mA L.D.O REGULATOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PZTM1101,135 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS/SCHOTTKY MODULE TAPE-13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PZTM1101T/R 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SOT-223
PZTM1102 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
PZTM1102,135 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS/SCHOTTKY MODULE TAPE-13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PZTM1102T/R 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 200MA I(C) | SOT-223
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*