參數(shù)資料
型號: PZTM1102
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 功率晶體管
英文描述: Circular Connector; MIL SPEC:MIL-C-26482, Series I, Solder; Body Material:Aluminum; Series:PT00; Number of Contacts:8; Connector Shell Size:12; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle
中文描述: 0.2 A, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝: PLASTIC PACKAGE-4
文件頁數(shù): 1/7頁
文件大小: 64K
代理商: PZTM1102
DATA SHEET
Product specification
File under Discrete Semiconductors, SC01
1996 May 09
DISCRETE SEMICONDUCTORS
PZTM1102
PNP transistor/Schottky-diode
module
handbook, halfpage
M3D087
相關PDF資料
PDF描述
R1110N LOW NOISE 150mA L.D.O REGULATOR
R1110N301B-TR CAP 15PF 200V 0.5PF C0H DIP-2 TUBE-PAK S-MIL-PRF-39014/22
R1110N501A-TR LOW NOISE 150mA L.D.O REGULATOR
R1110N501B LOW NOISE 150mA L.D.O REGULATOR
R1110N501B-TL LOW NOISE 150mA L.D.O REGULATOR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
PZTM1102,135 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS/SCHOTTKY MODULE TAPE-13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PZTM1102T/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 200MA I(C) | SOT-223
PZU10B 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Single Zener diodes in a SOD323F package
PZU10B T/R 功能描述:穩(wěn)壓二極管 ZENER DIODE RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
PZU10B,115 功能描述:穩(wěn)壓二極管 ZENER DIODE RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel