參數(shù)資料
型號(hào)： PSD834F2VA-15MI
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 微控制器/微處理器
英文描述： 256K X 8 FLASH, 27 I/O, PIA-GENERAL PURPOSE, PQFP52
封裝： PLASTIC, QFP-52
文件頁數(shù)： 88/110頁
文件大?。?/td> 837K
代理商： PSD834F2VA-15MI
79/110
PSD813F2, PSD833F2, PSD834F2, PSD853F2, PSD854F2
Table 46. DC Characteristics (3V devices)
Note: 1. Reset (RESET) has hysteresis. VIL1 is valid at or below 0.2VCC –0.1. VIH1 is valid at or above 0.8VCC.
2. CSI deselected or internal PD is active.
3. PLD is in non-Turbo mode, and none of the inputs are switching.
4. Please see Figure 36., page 72 for the PLD current calculation.
5. IOUT = 0mA
Symbol
Parameter
Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
VIH
High Level Input Voltage
3.0 V < VCC < 3.6 V
0.7VCC
VCC +0.5
V
VIL
Low Level Input Voltage
3.0 V < VCC < 3.6 V
–0.5
0.8
V
VIH1
Reset High Level Input Voltage
(Note 1)
0.8VCC
VCC +0.5
V
VIL1
Reset Low Level Input Voltage
(Note 1)
–0.5
0.2VCC –0.1
V
VHYS
Reset Pin Hysteresis
0.3
V
VLKO
VCC (min) for Flash Erase and
Program
1.5
2.2
V
VOL
Output Low Voltage
IOL = 20A, VCC = 3.0 V
0.01
0.1
V
IOL = 4mA, VCC = 3.0 V
0.15
0.45
V
VOH
Output High Voltage Except
VSTBY On
IOH = –20A, VCC = 3.0 V
2.9
2.99
V
IOH = –1mA, VCC = 3.0 V
2.7
2.8
V
VOH1
Output High Voltage VSTBY On
IOH1 = 1A
VSTBY – 0.8
V
VSTBY
SRAM Stand-by Voltage
2.0
VCC
V
ISTBY
SRAM Stand-by Current
VCC = 0 V
0.5
1
A
IIDLE
Idle Current (VSTBY input)
VCC > VSTBY
–0.1
0.1
A
VDF
SRAM Data Retention Voltage
Only on VSTBY
2V
ISB
Stand-by Supply Current
for Power-down Mode
CSI >VCC –0.3 V (Notes
2,3)
25
100
A
ILI
Input Leakage Current
VSS < VIN < VCC
–1
±0.1
1
A
ILO
Output Leakage Current
0.45 < VIN < VCC
–10
±5
10
A
ICC (DC)
(Note 5)
Operating
Supply
Current
PLD Only
PLD_TURBO = Off,
f = 0 MHz (Note 3)
0
A/PT
PLD_TURBO = On,
f = 0 MHz
200
400
A/PT
Flash memory
During Flash memory
WRITE/Erase Only
10
25
mA
Read only, f = 0 MHz
0
mA
SRAM
f = 0 MHz
0
mA
ICC (AC)
(Note 5)
PLD AC Adder
note 4
Flash memory AC Adder
1.5
2.0
mA/
MHz
SRAM AC Adder
0.8
1.5
mA/
MHz
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PDF描述
PSD854F2A-90MT 256K X 8 FLASH, 27 I/O, PIA-GENERAL PURPOSE, PQFP52
PSD854F2A-90UT 256K X 8 FLASH, 27 I/O, PIA-GENERAL PURPOSE, PQFP64
PSH665-FREQ-OUT1 VCXO, SINE OUTPUT, 465 MHz - 865 MHz
PSM3-022K 1 ELEMENT, 0.022 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD
PSM3-068K 1 ELEMENT, 0.068 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD
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參數(shù)描述
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PSD835G2-90U 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 5.0V 4M 90ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
PSD835G2-90UI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 5.0V 4M 90ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
PSD835G2V-12UI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3.0V 4M 120ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
PSD835G2V-90U 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 3.0V 4M 90ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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