參數(shù)資料
型號： PSD834F2VA-15MI
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 微控制器/微處理器
英文描述： 256K X 8 FLASH, 27 I/O, PIA-GENERAL PURPOSE, PQFP52
封裝： PLASTIC, QFP-52
文件頁數(shù)： 87/110頁
文件大?。?/td> 837K
代理商： PSD834F2VA-15MI
PSD813F2, PSD833F2, PSD834F2, PSD853F2, PSD854F2
78/110
Table 45. DC Characteristics (5V devices)
Note: 1. Reset (RESET) has hysteresis. VIL1 is valid at or below 0.2VCC –0.1. VIH1 is valid at or above 0.8VCC.
2. CSI deselected or internal Power-down mode is active.
3. PLD is in non-Turbo mode, and none of the inputs are switching.
4. Please see Figure 35., page 72 for the PLD current calculation.
5. IOUT = 0mA
Symbol
Parameter
Test Condition
(in addition to those in
Min.
Typ.
Max.
Unit
VIH
Input High Voltage
4.5 V < VCC < 5.5 V
2
VCC +0.5
V
VIL
Input Low Voltage
4.5 V < VCC < 5.5 V
–0.5
0.8
V
VIH1
Reset High Level Input Voltage
(Note 1)
0.8VCC
VCC +0.5
V
VIL1
Reset Low Level Input Voltage
(Note 1)
–0.5
0.2VCC –0.1
V
VHYS
Reset Pin Hysteresis
0.3
V
VLKO
VCC (min) for Flash Erase and
Program
2.5
4.2
V
VOL
Output Low Voltage
IOL = 20A, VCC = 4.5 V
0.01
0.1
V
IOL = 8mA, VCC = 4.5 V
0.25
0.45
V
VOH
Output High Voltage Except
VSTBY On
IOH = –20A, VCC = 4.5 V
4.4
4.49
V
IOH = –2mA, VCC = 4.5 V
2.4
3.9
V
VOH1
Output High Voltage VSTBY On
IOH1 = 1A
VSTBY – 0.8
V
VSTBY
SRAM Stand-by Voltage
2.0
VCC
V
ISTBY
SRAM Stand-by Current
VCC = 0 V
0.5
1
A
IIDLE
Idle Current (VSTBY input)
VCC > VSTBY
–0.1
0.1
A
VDF
SRAM Data Retention Voltage
Only on VSTBY
2V
ISB
Stand-by Supply Current
for Power-down Mode
CSI >VCC –0.3 V (Notes
2,3)
50
200
A
ILI
Input Leakage Current
VSS < VIN < VCC
–1
±0.1
1
A
ILO
Output Leakage Current
0.45 < VOUT < VCC
–10
±5
10
A
ICC (DC)
(Note 5)
Operating
Supply
Current
PLD Only
PLD_TURBO = Off,
f = 0 MHz (Note 5)
0
A/PT
PLD_TURBO = On,
f = 0 MHz
400
700
A/PT
Flash memory
During Flash memory
WRITE/Erase Only
15
30
mA
Read only, f = 0 MHz
0
mA
SRAM
f = 0 MHz
0
mA
ICC (AC)
(Note 5)
PLD AC Adder
note 4
Flash memory AC Adder
2.5
3.5
mA/
MHz
SRAM AC Adder
1.5
3.0
mA/
MHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PSD854F2A-90MT 256K X 8 FLASH, 27 I/O, PIA-GENERAL PURPOSE, PQFP52
PSD854F2A-90UT 256K X 8 FLASH, 27 I/O, PIA-GENERAL PURPOSE, PQFP64
PSH665-FREQ-OUT1 VCXO, SINE OUTPUT, 465 MHz - 865 MHz
PSM3-022K 1 ELEMENT, 0.022 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD
PSM3-068K 1 ELEMENT, 0.068 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR, SMD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PSD835G2-70U 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 5.0V 4M 70ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
PSD835G2-90U 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 5.0V 4M 90ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
PSD835G2-90UI 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 5.0V 4M 90ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
PSD835G2V-12UI 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 3.0V 4M 120ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
PSD835G2V-90U 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 3.0V 4M 90ns RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*