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參數資料
| 型號： | PN200RM |
| 英文描述： | Microprocessor Supervisory Circuits; Package: PDIP; No of Pins: 16; Temperature Range: 0°C to +70°C |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進步黨| 45V的五（巴西）總裁| 500mA的一（c）|至92 |
| 文件頁數： | 66/105頁 |
| 文件大?。?/td> | 2030K |
| 代理商： | PN200RM |
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P
PNP General Purpose Amplifier
(continued)
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
V
(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage*
V
(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CEX
Collector Cutoff Current
I
BL
Base Cutoff Current
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
I
C
= 10 mA, I
B
= 0
I
C
= 10
μ
A, I
E
= 0
I
E
= 10
μ
A, I
C
= 0
V
CE
= 30 V, V
OB
= 0.5 V
V
CE
= 30 V, V
OB
= 0.5 V
40
60
5.0
V
V
V
nA
nA
50
50
ON CHARACTERISTICS*
h
FE
DC Current Gain
V
CE
= 10 V, I
C
= 100
μ
A
V
CE
= 10 V, I
C
= 1.0 mA
V
CE
= 10 V, I
C
= 10 mA
V
CE
= 10 V, I
C
= 150 mA
V
CE
= 10 V, I
C
= 500 mA
V
CE
= 1.0 V, I
C
= 150 mA
I
C
= 150 mA, I
B
= 15 mA
I
C
= 500 mA, I
B
= 50 mA
I
C
= 150 mA, I
B
= 15 mA
I
C
= 500 mA, I
B
= 50 mA
35
50
75
100
30
50
300
V
CE(
sat
)
Collector-Emitter Saturation Voltage
0.4
1.6
1.3
2.6
V
V
V
V
V
BE(
sat
)
Base-Emitter Saturation Voltage
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
C
ob
Output Capacitance
C
ib
Input Capacitance
h
fe
Small-Signal Current Gain
V
CB
= 10 V, f = 100 kHz
V
EB
= 2.0 V, f = 100 kHz
I
C
= 50 mA, V
CE
= 20 V,
f = 100 MHz
8.0
30
pF
pF
2.0
SWITCHING CHARACTERISTICS
t
on
Turn-on Time
t
d
Delay Time
t
r
Rise Time
t
off
Turn-off Time
t
s
Storage Time
t
f
Fall Time
*
Pulse Test: Pulse Width
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2.0%
V
CC
= 30 V, I
C
= 150 mA,
I
B1
= 15 mA
45
10
40
100
80
30
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
CC
= 30 V, I
C
= 150 mA
I
B1
= I
B2
= 15 mA
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