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參數資料
| 型號： | PN200RM |
| 英文描述： | Microprocessor Supervisory Circuits; Package: PDIP; No of Pins: 16; Temperature Range: 0°C to +70°C |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進步黨| 45V的五（巴西）總裁| 500mA的一（c）|至92 |
| 文件頁數： | 46/105頁 |
| 文件大?。?/td> | 2030K |
| 代理商： | PN200RM |
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P
PNP General Purpose Amplifier
(continued)
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
V
(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown
Voltage*
V
(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CES
Collector-Cutoff Current
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
I
C
= 10 mA, I
B
= 0
45
V
I
C
= 100
μ
A, I
E
= 0
I
E
= 10
μ
A, I
C
= 0
V
CB
= 30 V, I
E
= 0
V
CB
= 30 V, I
E
= 0, T
A
= 65
°
C
V
CE
= 30 V, I
C
= 0
45
5.0
V
V
nA
μ
A
nA
35
2.0
35
I
BL
Base-Cutoff Current
ON CHARACTERISTICS*
h
FE
DC Current Gain
V
CE
= 10 V, I
C
= 0.1 mA
V
CE
= 10 V, I
C
= 1.0 mA
V
CE
= 10 V, I
C
= 10 mA
V
CE
= 10 V, I
C
= 150 mA
V
CE
= 2.0 V, I
C
= 300 mA
V
CE
= 1.0 V, I
C
= 50 mA
I
C
= 50 mA, I
B
= 2.5 mA
I
C
= 150 mA, I
B
= 15 mA
I
C
= 50 mA, I
B
= 2.5 mA
I
C
= 150 mA, I
B
= 15 mA
40
80
100
100
20
80
300
240
0.25
0.4
1.0
1.3
V
CE(
sat
)
Collector-Emitter Saturation Voltage
V
V
V
V
V
BE(
sat
)
Base-Emitter Saturation Voltage
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
C
ob
Output Capacitance
C
ib
Input Capacitance
h
fe
Small-Signal Current Gain
V
CB
= 10 V, f = 140 kHz
V
BE
= 0.5 V, f = 140 kHz
I
C
= 20 mA, V
CE
= 20 V,
f = 100 MHz
8.0
35
pF
pF
2.0
SWITCHING CHARACTERISTICS
Turn-on Time
Delay Time
Rise Time
Turn-off Time
Storage Time
Fall Time
*
Pulse Test: Pulse Width
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2.0%
t
on
t
d
t
r
t
off
t
s
t
f
V
CC
= 30 V, I
C
= 300 mA,
I
B1
= 30 mA
40
25
35
100
70
50
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
CC
= 30 V, I
C
= 300 mA
I
B1
= I
B2
= 30 mA
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PDF描述 |
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