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參數(shù)資料
| 型號： | PN200RM |
| 英文描述： | Microprocessor Supervisory Circuits; Package: PDIP; No of Pins: 16; Temperature Range: 0°C to +70°C |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進步黨| 45V的五（巴西）總裁| 500mA的一（c）|至92 |
| 文件頁數(shù)： | 44/105頁 |
| 文件大小： | 2030K |
| 代理商： | PN200RM |
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P
NPN General Purpose Amplifier
(continued)
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
V
(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage*
V
(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CES
Collector Cutoff Current
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
I
C
= 10 mA, I
B
= 0
I
C
= 10
μ
A, I
E
= 0
I
E
= 10
μ
A, I
C
= 0
V
CE
= 50 V, I
E
= 0
V
CE
= 50 V, I
E
= 0, T
A
= +65
°
C
30
60
5.0
V
V
V
nA
μ
A
50
1.0
ON CHARACTERISTICS*
h
FE
DC Current Gain
V
CE
= 10 V, I
C
= 150 mA
V
CE
= 10 V, I
C
= 500 mA
I
C
= 150 mA, I
B
= 15 mA
100
20
300
V
CE(
sat
)
Collector-Emitter Saturation Voltage
0.22
V
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
C
ob
Output Capacitance
η
Collector Efficiency
V
CB
= 10 V, f = 140 kHz,
V
= 15 V, f = 30 MHz,
Rg = 140
, RL = 260
V
CE
= 15 V, f = 30 MHz,
Rg = 140
, RL = 260
I
C
= 50 mA, V
CE
= 5.0 V,
f = 100 MHz
8.0
pF
%
60
G
pe
Amplifier Power Gain
10
dB
h
fe
Small-Signal Current Gain
2.5
*
Pulse Test: Pulse Width
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2.0%
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PN200A | PNP General Purpose Amplifier |
| PN202SQ | PHOTOTRANSISTOR | DARLINGTON | 800NM PEAK WAVELENGTH | 30M | DOME-3.0 |
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| PNZ202S(PN202S) | 光デバイス － 受光素子 － ダーリントンフォトトランジスタ |
| PNZ202SQ | PHOTOTRANSISTOR | DARLINGTON | 800NM PEAK WAVELENGTH | 30M | DOME-3.0 |
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參數(shù)描述 |
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