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參數(shù)資料
| 型號： | PN200RM |
| 英文描述： | Microprocessor Supervisory Circuits; Package: PDIP; No of Pins: 16; Temperature Range: 0°C to +70°C |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|進步黨| 45V的五（巴西）總裁| 500mA的一（c）|至92 |
| 文件頁數(shù)： | 32/105頁 |
| 文件大小： | 2030K |
| 代理商： | PN200RM |
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P
NPN RF Amplifier
(continued)
Electrical Characteristics
TA= 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
V
CEO(
sus
)
Collector-Emitter Sustaining Voltage*
V
(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
V
(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
I
CBO
Collector Cutoff Current
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
I
C
= 3.0 mA, I
B
= 0
I
C
= 100
μ
A, I
E
= 0
I
E
= 10
μ
A, I
C
= 0
V
CB
= 15 V, I
E
= 0
V
CB
= 15 V, T
A
= 150
°
C
15
30
2.0
V
V
V
μ
A
nA
0.05
5.0
ON CHARACTERISTICS*
h
FE
DC Current Gain
I
C
= 8.0 mA, V
CE
= 10 V
20
200
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
f
T
Current Gain - Bandwidth Product
I
= 8.0 mA, V
CE
= 10 V,
f = 100 MHz
V
CB
= 10 V, I
E
= 0, f = 1.0 MHz
V
CB
= 0, I
E
= 0, f = 1.0 MHz
V
BE
= 0.5 V, I
C
= 0, f = 140 MHz
I
= 8.0 mA, V
CE
= 10 V,
f = 1.0 kHz
I
C
= 8.0 mA, V
CE
= 10 V,
f = 79.8 MHz
600
1500
MHz
C
obo
Output Capacitance
1.7
3.0
2.0
250
pF
pF
pF
C
ibo
h
fe
Input Capacitance
Small-Signal Current Gain
20
rb’C
C
Collector Base Time Constant
8.0
25
pS
FUNCTIONAL TEST
G
pe
Amplifier Power Gain
I
C
= 8.0 mA, V
CB
= 10 V,
f = 200 MHz
14
26
dB
*
Pulse Test: Pulse Width
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2.0%
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PN200A | PNP General Purpose Amplifier |
| PN202SQ | PHOTOTRANSISTOR | DARLINGTON | 800NM PEAK WAVELENGTH | 30M | DOME-3.0 |
| PN202SR | PHOTOTRANSISTOR | DARLINGTON | 800NM PEAK WAVELENGTH | 30M | DOME-3.0 |
| PNZ202S(PN202S) | 光デバイス － 受光素子 － ダーリントンフォトトランジスタ |
| PNZ202SQ | PHOTOTRANSISTOR | DARLINGTON | 800NM PEAK WAVELENGTH | 30M | DOME-3.0 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| PN2016 | 制造商:Piergiacomi Sud 功能描述:G.P. NEEDLE NOSE PLIER |
| PN2016D | 制造商:Piergiacomi Sud 功能描述:P26-DH ESD MICRO SHEAR |
| PN-2016-D | 制造商:HAKKO Corporation 功能描述: |
| PN20-1W | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:PHOTOVOLTAIC TAPE/CARD READER ARRAY |
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