參數(shù)資料
型號： PMWD22XN
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： Dual N-channel uTrenchMOS extremely low level FET
中文描述： 9.2 A, 20 V, 0.024 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-153AA
封裝： PLASTIC, TSSOP-8
文件頁數(shù)： 8/12頁
文件大小： 79K
代理商： PMWD22XN
9397 750 15093
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2005. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 15 August 2005
8 of 12
Philips Semiconductors
PMWD22XN
Dual N-channel
μ
TrenchMOS extremely low level FET
T
j
= 25
°
C and 150
°
C; V
GS
= 0 V
Fig 12. Source current as a function of source-drain
voltage; typical values
V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig 13. Input, output and reverse transfer capacitances
as a function of drain-source voltage; typical
values
003aaa792
0
5
10
15
20
25
0
0.4
0.8
1.2
V
SD
(V)
I
S
(A)
T
j
= 25
°
C
150
°
C
003aaa793
10
2
10
3
10
4
10
-1
1
10
10
2
V
DS
(V)
C
(pF)
C
iss
C
oss
C
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
PMWD26UN 100mA CMOS Voltage Converter; Package: PDIP; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C
PMZ760SN uTrenchMOS (tm) standard level FET
PN101F PHOTOTRANSISTOR | NPN | 800NM PEAK WAVELENGTH | 50M | CAN-4.7
PN102F PHOTOTRANSISTOR | NPN | 800NM PEAK WAVELENGTH | 50M | CAN-4.7
PN102 Silicon planar type
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參數(shù)描述
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