參數(shù)資料
型號： PMWD22XN
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： Dual N-channel uTrenchMOS extremely low level FET
中文描述： 9.2 A, 20 V, 0.024 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-153AA
封裝： PLASTIC, TSSOP-8
文件頁數(shù)： 7/12頁
文件大小： 79K
代理商： PMWD22XN
9397 750 15093
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2005. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 15 August 2005
7 of 12
Philips Semiconductors
PMWD22XN
Dual N-channel
μ
TrenchMOS extremely low level FET
I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature
T
j
= 25
°
C; V
DS
= 5 V
Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage
Fig 9.
I
D
= 4 A; V
DS
= 10 V
Fig 11. Gate-source voltage as a function of gate charge; typical values
03al82
0
0.5
1
1.5
2
-60
0
60
120
180
(V)
min
max
typ
V
GS(th)
T
j
(
°
C)
03al83
10
-6
1
0
-5
10
-4
10
-3
0
0.5
1
1.5
2
(A)
min
max
typ
V
GS
(V)
I
D
003aaa791
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
10
Q
G
(nC)
V
GS
(V)
相關PDF資料
PDF描述
PMWD26UN 100mA CMOS Voltage Converter; Package: PDIP; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C
PMZ760SN uTrenchMOS (tm) standard level FET
PN101F PHOTOTRANSISTOR | NPN | 800NM PEAK WAVELENGTH | 50M | CAN-4.7
PN102F PHOTOTRANSISTOR | NPN | 800NM PEAK WAVELENGTH | 50M | CAN-4.7
PN102 Silicon planar type
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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PMWD26UN,518 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PMWD26UN 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N TSSOP-8
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