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參數(shù)資料
| 型號： | PMWD18UN |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | CAT6 SOL PC GRE PLE 15FT PLENUM SOLID PATCH CORD |
| 中文描述： | 10600 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MO-153 |
| 封裝： | PLASTIC, TSSOP-8 |
| 文件頁數(shù)： | 8/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 92K |
| 代理商： | PMWD18UN |
Philips Semiconductors
PMWD18UN
Dual N-channel
μ
TrenchMOS ultra low level FET
Product data
Rev. 02 — 23 February 2004
8 of 12
9397 750 12706
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
I
D
= 4 A; V
DD
= 16 V
Fig 13. Gate-source voltage as a function of gate charge; typical values.
003aaa265
0
1
2
3
4
5
0
10
20
30
QG (nC)
VGS
(V)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PMWD20XN | Dual N-channel UTrenchMOS extremely low level FET |
| PN2369 | NPN switching transistors |
| PN2369A | NPN switching transistors |
| PN2483 | LOW LEVEL, LOW NOISE NPN SILICON PLANAR TRANSISTORS |
| PN2905 | PNP SILICON TRANSISTORS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PMWD19UN | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N TSSOP-8 |
| PMWD19UN /T3 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PMWD19UN,518 | 功能描述:MOSFET PMWD19UN/TSSOP8/REEL13DP// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PMWD19UN | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N TSSOP-8 |
| PMWD20XN | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Dual N-channel UTrenchMOS extremely low level FET |
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