參數(shù)資料
型號(hào)： PMWD18UN
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： CAT6 SOL PC GRE PLE 15FT PLENUM SOLID PATCH CORD
中文描述： 10600 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MO-153
封裝： PLASTIC, TSSOP-8
文件頁數(shù)： 7/12頁
文件大小： 92K
代理商： PMWD18UN
Philips Semiconductors
PMWD18UN
Dual N-channel
μ
TrenchMOS ultra low level FET
Product data
Rev. 02 — 23 February 2004
7 of 12
9397 750 12706
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
Fig 9.
Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature.
T
j
= 25
°
C; V
DS
= 5 V
Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage.
V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig 11. Input, output and reverse transfer capacitances
as a function of drain-source voltage; typical
values.
T
j
= 25
°
C and 150
°
C; V
GS
= 0 V
Fig 12. Source (diode forward) current as a function of
source-drain (diode forward) voltage; typical
values.
03aj65
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
-60
0
60
120
180
Tj (
°
C)
VGS(th)
(V)
min
typ
03aj64
10-6
10-5
10-4
10-3
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
VGS (V)
ID
(A)
min
typ
003aaa263
10
102
103
104
10
1
10
102
VDS (V)
C
(pF)
Ciss
Coss
Crss
003aaa264
0
1
2
3
4
5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
VSD (V)
IS
(A)
25
°
C
Tj = 150
°
C
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