參數(shù)資料
型號(hào)： PMBF107
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
中文描述： 100 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
文件頁數(shù)： 4/12頁
文件大小： 70K
代理商： PMBF107
April 1995
4
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode vertical
D-MOS transistor
PMBF107
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
I
D
= 10
μ
A
V
GS
= 0
V
DS
= 130 V
V
GS
= 0
V
DS
= 70 V
V
GS
= 0.2 V
±
V
GS
= 15 V
V
DS
= 0
I
D
= 1 mA
V
GS
= V
DS
I
D
= 20 mA
V
GS
= 2.6 V
I
D
= 150 mA
V
GS
= 10 V
I
D
= 250 mA
V
DS
= 15 V
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0
f = 1 MHz
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0
f = 1 MHz
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0
f = 1 MHz
MIN.
TYP.
MAX. UNIT
V
(BR)DSS
drain-source breakdown voltage
200
V
I
DSS
drain-source leakage current
30
nA
I
DSX
drain cut-off current
1
μ
A
±
I
GSS
gate-source leakage current
10
nA
V
GS(th)
gate-source threshold voltage
0.8
2.4
V
R
DS(on)
drain-source on-resistance
20
28
14
Y
fs
transfer admittance
90
180
mS
C
iss
input capacitance
50
65
pF
C
oss
output capacitance
16
25
pF
C
rss
feedback capacitance
4
10
pF
Switching times (see Figs
2
and
3
)
t
on
turn-on time
I
D
= 250 mA
V
DD
= 50 V
V
GS
= 0 to 10 V
I
D
= 200 mA
V
DD
= 50 V
V
GS
= 0 to 10 V
2
10
ns
t
off
turn-off time
5
20
ns
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