參數(shù)資料
型號： PMBF107
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
中文描述： 100 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大?。?/td> 70K
代理商： PMBF107
April 1995
3
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode vertical
D-MOS transistor
PMBF107
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).
Note
1.
Device mounted on an FR4 printboard.
THERMAL RESISTANCE
Note
1.
Device mounted on an FR4 printboard.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
65
MAX.
UNIT
V
DS
±
V
GSO
I
D
I
DM
P
tot
T
stg
T
j
drain-source voltage
gate-source voltage
drain current
drain current
total power dissipation
storage temperature range
junction temperature
200
20
100
250
250
150
150
V
V
mA
mA
mW
°
C
°
C
open drain
DC value
peak value
T
amb
= 25
°
C (note 1)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
R
th j-a
from junction to ambient (note 1)
500
K/W
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