參數(shù)資料
型號： PMBF107
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
中文描述： 100 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
文件頁數(shù)： 2/12頁
文件大?。?/td> 70K
代理商： PMBF107
April 1995
2
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode vertical
D-MOS transistor
PMBF107
FEATURES
Direct interface to C-MOS, TTL,
etc.
High-speed switching
No secondary breakdown.
DESCRIPTION
N-channel enhancement mode
vertical D-MOS transistor in a SOT23
envelope and intended for use as a
line current interruptor in telephone
sets and for applications in relay,
high-speed and line transformer
drivers.
PINNING - SOT23
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
gate
source
drain
QUICK REFERENCE DATA
PIN CONFIGURATION
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MAX.
UNIT
V
DS
I
D
R
DS(on)
drain-source voltage
drain current
drain-source on-resistance
200
100
28
V
mA
DC value
I
D
= 20 mA
V
GS
= 2.6 V
I
D
= 1 mA
V
GS
= V
DS
V
GS(th)
gate-source threshold voltage
2.4
V
Fig.1 Simplified outline and symbol.
ndbook, halfpage
MSB003
Top view
1
2
3
handbook, 2 columns
s
d
g
MBB076 - 1
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PDF描述
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參數(shù)描述
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PMBF170 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N SOT-23
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