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參數(shù)資料
| 型號： | PMBF107 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor |
| 中文描述： | 100 mA, 200 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 11/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 70K |
| 代理商： | PMBF107 |
April 1995
11
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode vertical
D-MOS transistor
PMBF107
NOTES
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PMBF4416 | N-channel field-effect transistor |
| PMBF4416A | N-channel field-effect transistor |
| PMBF5484 | N-channel field-effect transistors |
| PMBF5485 | N-channel field-effect transistors |
| PMBF5486 | 2G,FS/FD CVR,GSKT& SCRS,ALUM,DX |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PMBF107T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 100MA I(D) | TO-236 |
| PMBF170 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin TO-236AB T/R Bulk 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N, SOT-23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N, SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:300mA; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V; Power Dissipation Pd:830mW; ;RoHS Compliant: Yes |
| PMBF170,215 | 功能描述:MOSFET TAPE7 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PMBF170,235 | 功能描述:MOSFET N-channel TrenchMOS intermed level FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PMBF170 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N SOT-23 |
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