參數(shù)資料
型號： PHX3055E
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel TrenchMOS transistor
中文描述： 9 A, 60 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220
封裝： PLASTIC, TO-220F, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大?。?/td> 96K
代理商： PHX3055E
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS
transistor
PHX3055E
REVERSE DIODE LIMITING VALUES AND CHARACTERISTICS
T
j
= 25C unless otherwise specified
SYMBOL PARAMETER
I
S
Continuous source current
(body diode)
I
SM
Pulsed source current (body
diode)
V
SD
Diode forward voltage
t
rr
Reverse recovery time
Q
rr
Reverse recovery charge
CONDITIONS
MIN.
-
TYP. MAX. UNIT
-
9
A
-
-
36
A
I
F
= 10 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 10 A; -dI
F
/dt = 100 A/
μ
s;
V
GS
= 0 V; V
R
= 30 V
-
-
-
1.1
32
50
1.5
-
-
V
ns
nC
August 1999
3
Rev 1.000
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PDF描述
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