參數(shù)資料
型號(hào)： PHX2N60E
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： PowerMOS transistors Avalanche energy rated
中文描述： 1.3 A, 600 V, 6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220
封裝： FULL PACK-3
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 65K
代理商： PHX2N60E
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistors
Avalanche energy rated
PHX2N60E
Fig.17. Maximum permissible non-repetitive
avalanche current (I
) versus avalanche time (t
p
);
unclamped inductive load
Fig.18. Maximum permissible repetitive avalanche
current (I
AR
) versus avalanche time (t
p
)
PHP2N60E
0.1
1
10
1E-06
1E-05
1E-04
1E-03
1E-02
Avalanche time, tp (s)
Non-repetitive Avalanche current, IAS (A)
125 C
VDS
ID
tp
Tj prior to avalanche = 25 C
PHP2N60E
0.01
0.1
1
10
1E-06
1E-05
1E-04
1E-03
1E-02
Avalanche time, tp (s)
Maximum Repetitive Avalanche Current, IAR (A)
125 C
Tj prior to avalanche = 25 C
December 1998
6
Rev 1.200
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHX3055E N-channel TrenchMOS transistor
PHX3055L PowerMOS transistor Logic level FET
PHX3N50E PowerMOS transistors Avalanche energy rated
PHX3N60E PowerMOS transistors Avalanche energy rated
PI4884 TrenchMOS logic level FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PHX3055E 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS transistor
PHX3055L 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor Logic level FET
PHX34NQ11T,127 功能描述:MOSFET TRENCHMOS (TM) FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHX3N40E 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistors Avalanche energy rated
PHX3N50E 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistors Avalanche energy rated
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*