參數(shù)資料
型號： PHX23NQ10T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel TrenchMOS transistor
中文描述： 13 A, 100 V, 0.07 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： PLASTIC, FPAK-3
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大小： 61K
代理商： PHX23NQ10T
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS
transistor
PHX23NQ10T
REVERSE DIODE LIMITING VALUES AND CHARACTERISTICS
T
j
= 25C unless otherwise specified
SYMBOL PARAMETER
I
S
Continuous source current
(body diode)
I
SM
Pulsed source current (body
diode)
V
SD
Diode forward voltage
t
rr
Reverse recovery time
Q
rr
Reverse recovery charge
CONDITIONS
MIN.
-
TYP. MAX. UNIT
-
13
A
-
-
92
A
I
F
= 11 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 11 A; -dI
F
/dt = 100 A/
μ
s;
V
GS
= 0 V; V
R
= 25 V
-
-
-
0.9
64
120
1.2
-
-
V
ns
nC
ISOLATION LIMITING VALUE & CHARACTERISTIC
T
hs
= 25 C unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
V
isol
R.M.S. isolation voltage from all
three terminals to external
heatsink
C
isol
Capacitance from T2 to external f = 1 MHz
heatsink
CONDITIONS
f = 50-60 Hz; sinusoidal
waveform;
R.H.
≤
65% ; clean and dustfree
MIN.
-
TYP.
MAX.
2500
UNIT
V
-
10
-
pF
September 1999
3
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHX2N40E Circular Connector; Body Material:Aluminum Alloy; Series:KPT00; No. of Contacts:21; Connector Shell Size:22; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle; Circular Contact Gender:Pin RoHS Compliant: No
PHX2N50E PowerMOS transistors Avalanche energy rated
PHX2N60E PowerMOS transistors Avalanche energy rated
PHX3055E N-channel TrenchMOS transistor
PHX3055L PowerMOS transistor Logic level FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PHX23NQ10T,127 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHX23NQ11T,127 功能描述:MOSFET TRENCHMOS (TM) FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHX27NQ11T,127 功能描述:MOSFET TRENCHMOS (TM) FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHX2959625 制造商:PHNXCONTACT 功能描述:
PHX2N40E 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor Isolated version of PHP4N40E
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