參數(shù)資料
型號(hào)： PHW14N50E
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： PowerMOS transistors Avalanche energy rated
中文描述： 14 A, 500 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
文件頁數(shù)： 5/7頁
文件大小： 85K
代理商： PHW14N50E
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistors
Avalanche energy rated
PHW14N50E
Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics.
V
GS
= f(Q
G
); parameter V
DS
Fig.14. Typical switching times t
d(on)
, t
r
, t
d(off)
, t
f
= f(R
G
)
Fig.15. Normalised drain-source breakdown voltage
V
(BR)DSS
/V
(BR)DSS 25 C
= f(T
j
)
Fig.16. Source-Drain diode characteristic.
I
F
= f(V
SDS
); parameter T
j
Fig.17. Maximum permissible non-repetitive
avalanche current (I
) versus avalanche time (t
p
);
unclamped inductive load
Fig.18. Maximum permissible repetitive avalanche
current (I
AR
) versus avalanche time (t
p
)
PHW14N50E
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
12
14
0
20
40
60
80
100
120
140
Gate charge, QG (nC)
Gate-source voltage, VGS (V)
ID = 14A
Tj = 25 C
VDD = 400 V
200 V
300 V
PHW14N50E
0
5
10
15
20
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
Drain-Source Voltage, VSDS (V)
Source-Drain Diode Current, IF (A)
Tj = 25 C
150 C
VGS = 0 V
PHW14N50E
0
50
100
150
200
250
300
350
400
0
5
10
15
20
25
30
Gate Resistance, RG (Ohms)
Switching times, td(on), tr, td(off), tf (ns)
td(off)
td(on)
tf
tr
PHP14N50E
1
1E-06
10
100
1E-05
1E-04
1E-03
1E-02
Avalanche time, tp (s)
Non-repetitive Avalanche current, IAS (A)
125 C
VDS
ID
tp
Tj prior to avalanche = 25 C
-100
-50
0
50
100
150
0.85
0.9
0.95
1
1.05
1.1
1.15
Tj, Junction temperature (C)
Normalised Drain-source breakdown voltage
V(BR)DSS @ Tj
V(BR)DSS @ 25 C
PHP14N50E
0.1
1
10
100
1E-06
1E-05
1E-04
1E-03
1E-02
Avalanche time, tp (s)
Maximum Repetitive Avalanche Current, IAR (A)
125 C
Tj prior to avalanche = 25 C
December 1998
5
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHW20N50E PowerMOS transistors Avalanche energy rated
PHW50NQ15T N-channel TrenchMOS transistor
PHW7N60 PowerMOS transistor
PHX10N40E Circular Connector; Body Material:Aluminum Alloy; Series:KPT00; No. of Contacts:16; Connector Shell Size:20; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle; Circular Contact Gender:Pin RoHS Compliant: No
PHX15N06E Circular Connector; Body Material:Aluminum Alloy; Series:KPT00; No. of Contacts:16; Connector Shell Size:20; Connecting Termination:Solder; Circular Shell Style:Wall Mount Receptacle; Circular Contact Gender:Socket RoHS Compliant: No
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參數(shù)描述
PHW201610 功能描述:罩類、盒類及殼類產(chǎn)品 24X12X10 FRP TYP 4X RoHS:否 制造商:Bud Industries 產(chǎn)品:Boxes 外部深度:6.35 mm 外部寬度:6.35 mm 外部高度:2.56 mm NEMA 額定值: IP 等級(jí): 材料:Acrylonitrile Butadiene Styrene (ABS) 顏色:Red
PHW201612 功能描述:罩類、盒類及殼類產(chǎn)品 24X24X10 FRP TYP 4X RoHS:否 制造商:Bud Industries 產(chǎn)品:Boxes 外部深度:6.35 mm 外部寬度:6.35 mm 外部高度:2.56 mm NEMA 額定值: IP 等級(jí): 材料:Acrylonitrile Butadiene Styrene (ABS) 顏色:Red
PHW20166 功能描述:罩類、盒類及殼類產(chǎn)品 24X20X8 FRP TYPE 4X RoHS:否 制造商:Bud Industries 產(chǎn)品:Boxes 外部深度:6.35 mm 外部寬度:6.35 mm 外部高度:2.56 mm NEMA 額定值: IP 等級(jí): 材料:Acrylonitrile Butadiene Styrene (ABS) 顏色:Red
PHW20168 功能描述:罩類、盒類及殼類產(chǎn)品 30X20X8 FRP TYPE 4X RoHS:否 制造商:Bud Industries 產(chǎn)品:Boxes 外部深度:6.35 mm 外部寬度:6.35 mm 外部高度:2.56 mm NEMA 額定值: IP 等級(jí): 材料:Acrylonitrile Butadiene Styrene (ABS) 顏色:Red
PHW20N50E 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistors Avalanche energy rated
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