參數(shù)資料
型號(hào)： PHT11N06LT
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： TrenchMOS transistor Logic level FET
中文描述： 4.9 A, 55 V, 0.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, SOT-223, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 6/9頁(yè)
文件大小： 69K
代理商： PHT11N06LT
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Logic level FET
PHT11N06LT
Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics.
V
GS
= f(Q
G
); conditions: I
D
= 9 A; parameter V
DS
Fig.14. Typical reverse diode current.
I
F
= f(V
SDS
); conditions: V
GS
= 0 V; parameter T
j
Fig.15. Normalised avalanche energy rating.
W
DSS
% = f(T
sp
); conditions: I
D
= 3.6 A
Fig.16. Avalanche energy test circuit.
W
DSS
=
0.5
LI
D
0
5
10
15
20
0
1
2
3
4
5
6
VGS/V
QG/nC
VDS = 14V
VDS = 44V
20
40
60
80
Tmb / C
100
120
140
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
WDSS%
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0
5
10
15
20
IF/A
VSDS/V
Tj/C =
150
25
L
T.U.T.
VDD
RGS
R 01
shunt
VDS
-ID/100
+
-
VGS
0
2
BV
DSS
/(
BV
DSS
V
DD
)
January 1998
6
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHT11N06T TrenchMOS transistor Standard level FET
PHT6N03LT TrenchMOS transistor Logic level FET
PHT6N03T TrenchMOS transistor Standard level FET
PHT6N06 TrenchMOS transistor Standard level FET
PHU2N50E PowerMOS transistors Avalanche energy rated
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參數(shù)描述
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PHT11N06T 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Standard level FET
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