參數(shù)資料
型號: PHP21N06
廠商: NXP Semiconductors N.V.
英文描述: TrenchMOSO transistor Standard level FET
中文描述: TrenchMOSO標(biāo)準(zhǔn)水平場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù): 6/8頁
文件大小: 65K
代理商: PHP21N06
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Standard level FET
PHP21N06T
Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics.
V
GS
= f(Q
G
); conditions: I
D
= 20 A; parameter V
DS
Fig.14. Typical reverse diode current.
I
F
= f(V
SDS
); conditions: V
GS
= 0 V; parameter T
j
Fig.15. Normalised avalanche energy rating.
W
DSS
% = f(T
mb
); conditions: I
D
= 17 A
Fig.16. Avalanche energy test circuit.
W
DSS
=
0.5
LI
D
Fig.17. Switching test circuit.
0
5
10
15
0
2
4
6
8
10
12
VGS/V
QG/nC
VDS = 14V
VDS = 44V
20
40
60
80
100
Tmb / C
120
140
160
180
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
WDSS%
0
0.5
1
1.5
0
20
40
60
80
100
IF/A
VSDS/V
Tj/C =
175
25
L
T.U.T.
VDD
RGS
R 01
shunt
VDS
-ID/100
+
-
VGS
0
2
BV
DSS
/(
BV
DSS
V
DD
)
RD
T.U.T.
VDD
RG
VDS
+
-
VGS
0
December 1997
6
Rev 1.100
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PDF描述
PHP21N06LT N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET
PHP21N06T TrenchMOSO transistor Standard level FET
PHP222 Dual P-channel enhancement mode MOS transistor
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PHB23NQ10T N-channel TrenchMOS transistor
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參數(shù)描述
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