參數資料
型號： PHP21N06
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： TrenchMOSO transistor Standard level FET
中文描述： TrenchMOSO標準水平場效應晶體管
文件頁數： 3/8頁
文件大?。?/td> 65K
代理商： PHP21N06
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Standard level FET
PHP21N06T
AVALANCHE LIMITING VALUE
SYMBOL
W
DSS
PARAMETER
Drain-source non-repetitive
unclamped inductive turn-off
energy
CONDITIONS
I
D
= 10 A; V
≤
25 V;
V
GS
= 10 V; R
GS
= 50
; T
mb
= 25 C
MIN.
-
TYP.
-
MAX.
30
UNIT
mJ
December 1997
3
Rev 1.100
相關PDF資料
PDF描述
PHP21N06LT N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET
PHP21N06T TrenchMOSO transistor Standard level FET
PHP222 Dual P-channel enhancement mode MOS transistor
PHP23NQ10T N-channel TrenchMOS transistor
PHB23NQ10T N-channel TrenchMOS transistor
相關代理商/技術參數
參數描述
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PHP21N06LT,127 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHP21N06LT 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N TO-220AB
PHP21N06LT/B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR UNIVERSAL MOSFET SOT
PHP21N06T 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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