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參數(shù)資料
| 型號： | PHP21N06 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | TrenchMOSO transistor Standard level FET |
| 中文描述： | TrenchMOSO標準水平場效應晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 5/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 65K |
| 代理商： | PHP21N06 |
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Standard level FET
PHP21N06T
Fig.7. Typical transfer characteristics.
I
D
= f(V
GS
); conditions: V
DS
= 25 V; parameter T
j
Fig.8. Typical transconductance, T
= 25 C
g
fs
= f(I
D
); conditions: V
DS
= 25 V
Fig.9. Normalised drain-source on-state resistance.
a = R
DS(ON)
/R
DS(ON)25 C
= f(T
j
); I
D
= 10 A; V
GS
= 10 V
Fig.10. Gate threshold voltage.
V
GS(TO)
= f(T
j
); conditions: I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
Fig.11. Sub-threshold drain current.
I
D
= f(V
GS)
; conditions: T
j
= 25 C; V
DS
= V
GS
Fig.12. Typical capacitances, C
, C
, C
.
C = f(V
DS
); conditions: V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0
5
10
15
20
25
ID/A
VGS/V
Tj/C =
175
25
BUK759-60
0
-50
0
50
100
150
200
1
2
3
4
5
Tj / C
VGS(TO) / V
max.
typ.
min.
0
5
10
15
20
25
2
3
4
5
6
7
8
9
gfs/S
ID/A
0
1
2
3
4
5
1E-06
1E-05
1E-04
1E-03
1E-02
1E-01
Sub-Threshold Conduction
typ
2%
98%
-100
-50
0
50
100
150
200
0.5
1
1.5
2
2.5
BUK959-60
Tmb / degC
Rds(on) normlised to 25degC
a
0.01
0.1
1
10
100
0
.1
.2
.3
.4
.5
.6
.7
.8
.9
1
T
VDS/V
Ciss
Crss
December 1997
5
Rev 1.100
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHP21N06LT | N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHP21N06T | TrenchMOSO transistor Standard level FET |
| PHP222 | Dual P-channel enhancement mode MOS transistor |
| PHP23NQ10T | N-channel TrenchMOS transistor |
| PHB23NQ10T | N-channel TrenchMOS transistor |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PHP21N06LT | 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHP21N06LT,127 | 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHP21N06LT | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N TO-220AB |
| PHP21N06LT/B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR UNIVERSAL MOSFET SOT |
| PHP21N06T | 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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