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參數資料
| 型號： | PHN205 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Dual N-channel enhancement mode MOS transistor |
| 中文描述： | 6400 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA |
| 封裝： | PLASTIC, SO-8 |
| 文件頁數： | 7/12頁 |
| 文件大小： | 88K |
| 代理商： | PHN205 |
1997 Oct 22
7
Philips Semiconductors
Product specification
Dual N-channel enhancement mode
MOS transistor
PHN205
Fig.6
Capacitance as a function of drain-source
voltage; typical values.
V
GS
= 0; f = 1 MHz; T
j
= 25
°
C.
(1) C
iss
.
(2) C
oss
.
(3) C
rss
.
handbook, halfpage
(pF)
0
4
8
12
16
VDS (V)
20
0
1000
750
500
250
MGG343
(1)
(2)
(3)
Fig.7 Output characteristics; typical values.
handbook, halfpage
0
4
8
12
0
20
10
MGG344
ID
(A)
VDS (V)
(4)
(5)
(6)
(1)
(2)
(3)
T
amb
= 25
°
C; t
p
= 80
μ
s;
δ
= 0.
(1) V
GS
= 10 V.
(2) V
GS
= 5 V.
(3) V
GS
= 4.5 V.
(4) V
GS
= 4 V.
(5) V
GS
= 3.5 V.
(6) V
GS
= 3 V.
Fig.8 Transfer characteristics; typical values.
V
DS
= 10 V; T
amb
= 25
°
C; t
p
= 80
μ
s;
δ
= 0.
handbook, halfpage
0
2
4
6
MGG345
20
0
10
VGS (V)
ID
(A)
Fig.9
Gate-source voltage and drain-source
voltage as a function of total gate charge;
typical values.
V
DD
= 12.5 V; I
D
= 3.2 A; T
amb
= 25
°
C.
(1) V
DS
.
(2) V
GS
.
handbook, halfpage
V
(V)
0
4
16
12
4
0
8
8
12
MGG346
(1)
(2)
QG (nC)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHP119NQ06T | N-channel TrenchMOS standard level FET |
| PHB119NQ06T | N-channel TrenchMOS standard level FET |
| PHP130N03LT | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHP152NQ03LT | TrenchMOS logic level FET |
| PHP152NQ03LTA | N-channel TrenchMOS logic level FET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PHN210 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Dual N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor |
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| PHN210,118 | 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHN210T | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Dual N-channel enhancement mode |
| PHN210T /T3 | 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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