參數(shù)資料
型號： PHD22NQ20T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel TrenchMOS?? standard level FET
中文描述： 21.1 A, 200 V, 0.12 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝： PLASTIC, SC-63, DPAK-3
文件頁數(shù)： 10/12頁
文件大?。?/td> 91K
代理商： PHD22NQ20T
Philips Semiconductors
PHD22NQ20T
N-channel TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 01 — 08 March 2004
10 of 12
9397 750 12882
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
8.
Revision history
Table 6:
Rev Date
01
Revision history
CPCN
20040308
Description
Product data (9397 750 12882)
-
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHD22NQ20T-01 N-channel TrenchMOS?? standard level FET
PHD24N03 TrenchMOS transistor Logic level FET
PHD3055E PowerMOS transistor
PHD3055L PowerMOS transistor Logic level FET
PHD3N20E PowerMOS transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PHD22NQ20T /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PHD22NQ20T,118 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHD22NQ20T-01 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS?? standard level FET
PHD23NQ10T 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS transistor
PHD23NQ10T,118 功能描述:MOSFET TRENCH-100 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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