參數(shù)資料
型號： PHD11N03LT
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET(N溝道TrenchMOS 晶體管邏輯電平場效應(yīng)管)
中文描述： 10.3 A, 30 V, 0.15 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, DPAK-3
文件頁數(shù)： 3/11頁
文件大?。?/td> 105K
代理商： PHD11N03LT
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS
transistor
Logic level FET
PHB11N03LT, PHD11N03LT
REVERSE DIODE LIMITING VALUES AND CHARACTERISTICS
T
j
= 25C unless otherwise specified
SYMBOL PARAMETER
I
S
Continuous source current
(body diode)
I
SM
Pulsed source current (body
diode)
V
SD
Diode forward voltage
t
rr
Reverse recovery time
Q
rr
Reverse recovery charge
CONDITIONS
MIN.
-
TYP. MAX. UNIT
-
10.3
A
-
-
41
A
I
F
= 10 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 10 A; -dI
F
/dt = 100 A/
μ
s;
V
GS
= 0 V; V
R
= 30 V
-
-
-
1.15
35
55
1.5
-
-
V
ns
nC
September 1999
3
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHB129NQ04LT N-channel TrenchMOS logic level FET
PHP129NQ04LT N-channel TrenchMOS logic level FET
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PHP18NQ20T N-channel TrenchMOS transistor
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參數(shù)描述
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PHD-128-6002-BLK 制造商:PRO POWER (FORMERLY FROM SPC) 功能描述:HEAT SHRINK TUBING BLK 制造商:pro-power 功能描述:HEAT SHRINK TUBING, 50.8MM ID, PO, BLK, 1FT, PK2; I.D. Supplied - Metric:50.8mm; I.D. Supplied - Imperial:2"; I.D. Recovered Max - Metric:25.4mm; I.D. Recovered Max - Imperial:1"; Shrink Ratio:2:1; Shrink Tubing / Boot Color:Black ;RoHS Compliant: Yes
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