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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PHB63NQ03LT |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOS logic level FET |
| 中文描述： | 68.9 A, 30 V, 0.0177 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | PLASTIC, D2PAK-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/14頁(yè) |
| 文件大小： | 104K |
| 代理商： | PHB63NQ03LT |
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Philips Semiconductors
PHP/PHB/PHD63NQ03LT
TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 01 — 14 June 2002
4 of 14
9397 750 09822
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
4.
Thermal characteristics
4.1 Transient thermal impedance
Table 3:
Symbol Parameter
R
th(j-mb)
thermal resistance from junction to mounting base
Figure 4
R
th(j-a)
thermal resistance from junction to ambient
SOT78
SOT428
Thermal characteristics
Conditions
Min Typ Max Unit
-
-
1.35 K/W
vertical in still air
SOT428 minimum footprint;
mounted on a PCB
SOT404 minimum footprint;
mounted on a PCB
-
-
60
75
-
-
K/W
K/W
SOT404 and SOT428
-
50
-
K/W
Fig 4.
Transient thermal impedance from junction to mounting base as a function of pulse duration.
03ai83
10-2
10-1
1
10
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
tp (s)
Zth(j-mb)
(K/W)
single pulse
δ
= 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
tp
tp
T
T
P
t
δ
=
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHD63NQ03LT | TrenchMOS logic level FET |
| PHP63NQ03LT | TrenchMOS logic level FET |
| PHB65N06LT | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHB65N06T | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| PHB87NO3T | TrenchMOS transistor Standard level FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PHB64N03LT | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 25V V(BR)DSS | 64A I(D) | TO-263AB |
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| PHB65N06LTT/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 63A I(D) | SOT-404 |
| PHB65N06T | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Standard level FET |
| PHB65N06TT/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 63A I(D) | SOT-404 |
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