型號: | PHD63NQ03LT |
廠商: | NXP SEMICONDUCTORS |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | TrenchMOS logic level FET |
中文描述: | 68.9 A, 30 V, 0.0177 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
封裝: | PLASTIC, SC-63, DPAK-3 |
文件頁數(shù): | 1/14頁 |
文件大?。?/td> | 104K |
代理商: | PHD63NQ03LT |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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PHP63NQ03LT | TrenchMOS logic level FET |
PHB65N06LT | TrenchMOS transistor Logic level FET |
PHB65N06T | TrenchMOS transistor Standard level FET |
PHB87NO3T | TrenchMOS transistor Standard level FET |
PHB9N60E | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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PHD63NQ03LT,118 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
PHD63NQ03LT | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N 30V D-PAK |
PHD63NQ03LT/T3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
PHD63NQ03LT118 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 30V 68.9A 3-DPAK |
PHD66NQ03LT | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS logic level FET |