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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PHB63NQ03LT |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOS logic level FET |
| 中文描述： | 68.9 A, 30 V, 0.0177 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | PLASTIC, D2PAK-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/14頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 104K |
| 代理商： | PHB63NQ03LT |
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Philips Semiconductors
PHP/PHB/PHD63NQ03LT
TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 01 — 14 June 2002
2 of 14
9397 750 09822
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
3.
Limiting values
Table 2:
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol Parameter
V
DS
drain-source voltage (DC)
V
DGR
drain-gate voltage (DC)
V
GS
gate-source voltage (DC)
V
GSM
peak gate-source voltage
I
D
drain current (DC)
Limiting values
Conditions
25
°
C
≤
T
j
≤
175
°
C
25
°
C
≤
T
j
≤
175
°
C; R
GS
= 20 k
Min
-
-
-
-
-
-
-
-
55
55
Max
30
30
±
20
±
25
68.9
48.7
240
111
+175
+175
Unit
V
V
V
V
A
A
A
W
°
C
°
C
t
p
≤
50
μ
s; pulsed; duty cycle = 25 %
T
mb
= 25
°
C; V
GS
= 10 V;
Figure 2
and
3
T
mb
= 100
°
C; V
GS
= 10 V;
Figure 2
T
mb
= 25
°
C; pulsed; t
p
≤
10
μ
s;
Figure 3
T
mb
= 25
°
C;
Figure 1
I
DM
P
tot
T
stg
T
j
Source-drain diode
I
S
source (diode forward) current (DC)
I
SM
peak source (diode forward) current T
mb
= 25
°
C; pulsed; t
p
≤
10
μ
s
peak drain current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
T
mb
= 25
°
C
-
-
68.9
48.7
A
A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHD63NQ03LT | TrenchMOS logic level FET |
| PHP63NQ03LT | TrenchMOS logic level FET |
| PHB65N06LT | TrenchMOS transistor Logic level FET |
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| PHB87NO3T | TrenchMOS transistor Standard level FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| PHB65N06LTT/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 63A I(D) | SOT-404 |
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| PHB65N06TT/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 63A I(D) | SOT-404 |
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