參數(shù)資料
型號： PHB160N03T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel enhancement mode field-effect transistor
中文描述： 75 A, 30 V, 0.005 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, D2PAK-3
文件頁數(shù)： 6/13頁
文件大?。?/td> 271K
代理商： PHB160N03T
Philips Semiconductors
PHB160N03T
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Product specification
Rev. 01 — 13 September 2000
6 of 13
9397 750 07325
Philips Electronics N.V. 2000. All rights reserved.
T
j
= 25
°
C
Output characteristics: drain current as a
function of drain-source voltage; typical values.
T
j
= 25
°
C and 175
°
C; V
DS
>
I
D
×
R
DSon
Fig 6.
Transfer characteristics: drain current as a
function of gate-source voltage; typical values.
Fig 5.
T
j
= 25
°
C
Fig 7.
Drain-source on-state resistance as a function
of drain current; typical values.
Fig 8.
Normalized drain source on-state resistance
factor as a function of junction temperature.
6.0
0
2
4
6
8
10
0
100
200
300
400
ID
(A)
20
12
10
9
8.5
VGS (V) =
8.0
7.5
7.0
6.5
5.0
4.5
VDS (V)
03ad22
100
80
60
40
20
0
ID
(A)
0
1
2
3
4
5
6
7
VGS (V)
Tj = 175 oC
25 oC
03ad23
VDS > ID X RDSon
0
20
40
60
80
100
3
4
5
6
7
8
9
10
11
RDSon
ID (A)
6 V
8 V
10 V
6.7 V
(m
)
5.5 V
VGS =
03ad21
03aa27
0
-60
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
-20
20
60
100
140
180
Tj (oC)
a
a
R
DSon 25
°
C
)
----------------------------
=
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHB225NQ04T N-channel TrenchMOS standard level FET
PHP225NQ04T N-channel TrenchMOS standard level FET
PHB38N02LT TrenchMOS logic level FET
PHB42N03LT TrenchMOS transistor Logic level FET
PHB45N03LT TrenchMOS transistor Logic level FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PHB160NQ08T 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS standard level FET
PHB160NQ08T /T3 功能描述:MOSFET TRENCH-75 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHB160NQ08T,118 功能描述:MOSFET TRENCH-75 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHB1635-5R0176-1 制造商:Cooper Bussmann 功能描述:CAP,17F,5V, ACTIVE BALANCE, VERT - Tape and Reel 制造商:COOPER BUSSMANN 功能描述:CAP,17F,5V, ACTIVE BALANCE, VERT
PHB174NQ04LT /T3 功能描述:MOSFET N-CH TRENCH 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*