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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PHB160N03T |
| 廠(chǎng)商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類(lèi)： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
| 中文描述： | 75 A, 30 V, 0.005 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | PLASTIC, D2PAK-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/13頁(yè) |
| 文件大小： | 271K |
| 代理商： | PHB160N03T |
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Philips Semiconductors
PHB160N03T
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Product specification
Rev. 01 — 13 September 2000
3 of 13
9397 750 07325
Philips Electronics N.V. 2000. All rights reserved.
V
GS
≥
10 V
Fig 1.
Normalized total power dissipation as a
function of mounting base temperature.
Fig 2.
Normalized continuous drain current as a
function of mounting base temperature.
T
mb
= 25
°
C; I
DM
is single pulse
Fig 3.
Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage.
03aa16
0
20
40
60
80
100
120
0
25
50
75
100
125
150
175
Tmb (oC)
200
Pder
(%)
120
100
80
60
40
20
0
Ider
(%)
0
25
50
75
100
125
150
175
200
Tmb (oC)
03ad31
P
der
P
tot 25 C
°
)
----------------------
100
%
×
=
I
der
I
D 25 C
°
)
------------------
100
%
×
=
ID
(A)
10
1
tp = 10
μ
s
100
μ
s
1 ms
10 ms
100ms
DC
RDSon = VDS / ID
tp
tp
T
T
P
t
δ
=
03ad34
VDS (V)
1
10
103
102
102
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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