參數(shù)資料
型號： PHB11N50E
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： PowerMOS transistors Avalanche energy rated
中文描述： 10.9 A, 500 V, 0.55 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SOT-404, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大小： 102K
代理商： PHB11N50E
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistors
Avalanche energy rated
PHB11N50E, PHW11N50E
SOURCE-DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS
T
j
= 25 C unless otherwise specified
SYMBOL PARAMETER
I
S
Continuous source current
(body diode)
I
SM
Pulsed source current (body
diode)
V
SD
Diode forward voltage
t
rr
Reverse recovery time
Q
rr
Reverse recovery charge
CONDITIONS
T
mb
= 25C
MIN.
-
TYP. MAX. UNIT
-
10.9
A
T
mb
= 25C
-
-
44
A
I
S
= 11 A; V
GS
= 0 V
I
S
= 11 A; V
GS
= 0 V; dI/dt = 100 A/
μ
s
-
-
-
-
1.2
-
-
V
ns
μ
C
630
6.9
December 1998
3
Rev 1.000
相關PDF資料
PDF描述
PHW14N50E PowerMOS transistors Avalanche energy rated
PHW20N50E PowerMOS transistors Avalanche energy rated
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