參數(shù)資料
型號： PH3830L
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel TrenchMOS logic level FET
中文描述： 98 A, 30 V, 0.0049 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-235
封裝： PLASTIC, LFPAK-5
文件頁數(shù)： 9/12頁
文件大小： 92K
代理商： PH3830L
Philips Semiconductors
PH3830L
N-channel TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 03 — 2 March 2004
9 of 12
9397 750 12945
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
7.
Package outline
Fig 14. SOT669 (LFPAK).
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
JEITA
SOT669
MO-235
03-02-05
03-09-15
0
2.5
5 mm
scale
e
E1
b
c2
A2
A2
b
c
A
e
UNIT
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
mm
1.10
0.95
A3
A1
0.15
0.00
1.20
1.01
0.50
0.35
b2
4.41
3.62
b3
2.2
2.0
b4
0.9
0.7
0.25
0.19
c2
0.30
0.24
4.10
3.80
6.2
5.8
H
1.3
0.8
L2
0.85
0.40
L
1.3
0.8
L1
8
°
0
°
w
y
D
(1)
5.0
4.8
E
(1)
3.3
3.1
E1
(1)
D1
(1)
max
0.25
4.20
1.27
0.25
0.1
1
2
3
4
mounting
base
D1
c
Plastic single-ended surface mounted package (Philips version LFPAK); 4 leads
SOT669
E
b2
b3
b4
H
D
L2
L1
A
A
w
M
C
C
X
1/2
e
y C
θ
θ
(A )
3
L
A
A1
detail X
Note
1. Plastic or metal protrusions of 0.15 mm maximum per side are not included.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PH3855L N-channel TrenchMOS logic level FET
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PH7030L N-channel TrenchMOS logic level FET
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參數(shù)描述
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PH3830L 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N 30V LFPAK
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PH3855L T/R 功能描述:MOSFET N-CH TRENCH 55V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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