參數(shù)資料
型號： PBSS2540M,315
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 40 V, 0.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor; Package: SOT883 (SC-101); Container: Tape reel smd
中文描述： 500 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： 1.0 MM X 0.6 MM, 0.5 MM HEIGHT, PLASTIC, SC-101, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/9頁
文件大?。?/td> 68K
代理商： PBSS2540M,315
2003 Jul 22
6
Philips Semiconductors
Product specication
40 V, 0.5 A
NPN low VCEsat (BISS) transistor
PBSS2540M
handbook, halfpage
05
1200
0
400
800
1000
200
600
12
VCE (V)
3
IC
(mA)
4
MHC083
(10)
(2)
(4)
(6)
(5)
(3)
(1)
(8)
(7)
(9)
Fig.6
Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values.
(1) IB = 25 mA.
(2) IB = 22.5 mA.
(3) IB = 20 mA.
(4) IB = 17.5 mA.
(5) IB = 15 mA.
(6) IB = 12.5 mA.
(7) IB = 10 mA.
(8) IB = 7.5 mA.
(9) IB = 5 mA.
(10) IB = 2.5 mA.
Tamb =25 °C.
handbook, halfpage
103
102
10
1
101
MHC087
101
1
RCEsat
(
)
10
IC (mA)
102
103
(1)
(2)
(3)
Fig.7
Collector-emitter equivalent on-resistance
as a function of collector current; typical
values.
IC/IB = 20.
(1) Tamb = 150 °C.
(2) Tamb =25 °C.
(3) Tamb = 55 °C.
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PDF描述
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