參數(shù)資料
型號(hào)： PBSS2540M,315
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 40 V, 0.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor; Package: SOT883 (SC-101); Container: Tape reel smd
中文描述： 500 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： 1.0 MM X 0.6 MM, 0.5 MM HEIGHT, PLASTIC, SC-101, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/9頁(yè)
文件大?。?/td> 68K
代理商： PBSS2540M,315
2003 Jul 22
4
Philips Semiconductors
Product specication
40 V, 0.5 A
NPN low VCEsat (BISS) transistor
PBSS2540M
CHARACTERISTICS
Tamb =25 °C unless otherwise specied.
Note
1. Pulse test: tp ≤ 300 s; δ≤ 0.02.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
ICBO
collector-base cut-off current
VCB = 30 V; IE =0
100
nA
VCB = 30 V; IE = 0; Tj = 150 °C
50
A
IEBO
emitter-base cut-off current
VEB =5V; IC =0
100
nA
hFE
DC current gain
VCE =2V; IC = 10 mA
200
VCE =2V; IC = 100 mA; note 1
150
VCE =2V; IC = 500 mA; note 1
50
VCEsat
collector-emitter saturation voltage IC = 10 mA; IB = 0.5 mA
50
mV
IC = 100 mA; IB =5mA
100
mV
IC = 200 mA; IB = 10 mA; note 1
200
mV
IC = 500 mA; IB = 50 mA; note 1
250
mV
RCEsat
equivalent on-resistance
IC = 500 mA; IB = 50 mA; note 1
380
<500
m
VBEsat
base-emitter saturation voltage
IC = 500 mA; IB = 50 mA; note 1
1.2
V
VBEon
base-emitter turn-on voltage
VCE =2V; IC = 100 mA; note 1
1.1
V
fT
transition frequency
IC = 100 mA; VCE =5V;
f = 100 MHz
250
450
MHz
Cc
collector capacitance
VCB = 10 V; IE =Ie = 0; f = 1 MHz
6pF
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PDF描述
PBU602 6 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
PBW.3K.93C.CLCT90Z 9/125 um, SINGLE MODE, SIMPLEX FIBER OPTIC CONNECTOR, SOCKET
PBW.3K.93C.CLCT96Z 9/125 um, SINGLE MODE, SIMPLEX FIBER OPTIC CONNECTOR, SOCKET
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PEW.3K.93C.CLCT96Z 9/125 um, SINGLE MODE, SIMPLEX FIBER OPTIC CONNECTOR, SOCKET
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參數(shù)描述
PBSS2540MB 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS NPN 40V 0.5A SOT883B 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS, NPN, 40V, 0.5A, SOT883B 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS, NPN, 40V, 0.5A, SOT883B; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Transition Frequency Typ ft:450MHz; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:50; Operating ;RoHS Compliant: Yes
PBSS2540MB,315 功能描述:兩極晶體管 - BJT 40 V, 0.5 A NPN low VCEsat transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PBSS301ND 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN 20V 4A SSOT-6 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR, NPN, 20V, 4A, SSOT-6
PBSS301ND T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 20V 4A LOW SAT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PBSS301ND,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 20V 4A LOW SAT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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