參數(shù)資料
型號： PBSS2540E,115
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 40 V, 500 mA NPN low VCEsat (BISS) transistor; Package: SOT416 (SC-75); Container: Tape reel smd
中文描述： 500 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SMD, SC-75, 3 PIN
文件頁數(shù)： 7/11頁
文件大小： 110K
代理商： PBSS2540E,115
9397 750 15063
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2005. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 4 May 2005
5 of 11
Philips Semiconductors
PBSS2540E
40 V, 500 mA NPN low VCEsat (BISS) transistor
7.
Characteristics
[1]
Pulse test: tp ≤ 300 s; δ≤ 0.02.
Table 7:
Characteristics
Tamb = 25 °C unless otherwise specied.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
ICBO
collector-base cut-off
current
VCB =30V; IE = 0 A
-
100
nA
VCB =30V; IE =0A;
Tj = 150 °C
--50
A
IEBO
emitter-base cut-off
current
VEB =5V; IC = 0 A
-
100
nA
hFE
DC current gain
VCE =2V; IC =10mA
200
-
VCE =2V; IC = 100 mA
[1] 100
-
VCE =2V; IC = 500 mA
-
VCEsat
collector-emitter
saturation voltage
IC = 10 mA; IB = 0.5 mA
-
50
mV
IC = 100 mA; IB = 5 mA
-
100
mV
IC = 200 mA; IB = 10 mA
-
200
mV
IC = 500 mA; IB =50mA
-
250
mV
RCEsat
collector-emitter
saturation resistance
IC = 500 mA; IB =50mA
380
500
m
VBEsat
base-emitter
saturation voltage
IC = 500 mA; IB =50mA
-
1.2
V
VBEon
base-emitter turn-on
voltage
VCE =2V; IC = 100 mA
-
1.1
V
fT
transition frequency
VCE =5V; IC = 100 mA;
f = 100 MHz
250
450
-
MHz
Cc
collector capacitance
VCB =10V; IE =ie =0A;
f=1MHz
--6
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PBSS2540M,315 40 V, 0.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor; Package: SOT883 (SC-101); Container: Tape reel smd
PBU602 6 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
PBW.3K.93C.CLCT90Z 9/125 um, SINGLE MODE, SIMPLEX FIBER OPTIC CONNECTOR, SOCKET
PBW.3K.93C.CLCT96Z 9/125 um, SINGLE MODE, SIMPLEX FIBER OPTIC CONNECTOR, SOCKET
PEW.3K.93C.CLCT90Z 9/125 um, SINGLE MODE, SIMPLEX FIBER OPTIC CONNECTOR, SOCKET
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