參數(shù)資料
型號： PBSS2540E,115
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 40 V, 500 mA NPN low VCEsat (BISS) transistor; Package: SOT416 (SC-75); Container: Tape reel smd
中文描述： 500 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SMD, SC-75, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/11頁
文件大?。?/td> 110K
代理商： PBSS2540E,115
9397 750 15063
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2005. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 4 May 2005
3 of 11
Philips Semiconductors
PBSS2540E
40 V, 500 mA NPN low VCEsat (BISS) transistor
5.
Limiting values
[1]
Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated and standard footprint.
[2]
Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for collector 1 cm2.
Table 5:
Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
VCBO
collector-base voltage
open emitter
-
40
V
VCEO
collector-emitter voltage
open base
-
40
V
VEBO
emitter-base voltage
open collector
-
6
V
IC
collector current (DC)
-
500
mA
ICM
peak collector current
-
1
A
IBM
peak base current
-
100
mA
Ptot
total power dissipation
Tamb ≤ 25 °C
150
mW
250
mW
Tj
junction temperature
-
150
°C
Tamb
ambient temperature
65
+150
°C
Tstg
storage temperature
65
+150
°C
(1) FR4 PCB, mounting pad for collector 1 cm2
(2) FR4 PCB, standard footprint
Fig 1.
Power derating curves
Tamb (°C)
0
160
120
40
80
006aaa412
100
200
300
Ptot
(mW)
0
(1)
(2)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PBSS2540M,315 40 V, 0.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor; Package: SOT883 (SC-101); Container: Tape reel smd
PBU602 6 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
PBW.3K.93C.CLCT90Z 9/125 um, SINGLE MODE, SIMPLEX FIBER OPTIC CONNECTOR, SOCKET
PBW.3K.93C.CLCT96Z 9/125 um, SINGLE MODE, SIMPLEX FIBER OPTIC CONNECTOR, SOCKET
PEW.3K.93C.CLCT90Z 9/125 um, SINGLE MODE, SIMPLEX FIBER OPTIC CONNECTOR, SOCKET
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參數(shù)描述
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