參數(shù)資料
型號： PBSS2540E,115
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 40 V, 500 mA NPN low VCEsat (BISS) transistor; Package: SOT416 (SC-75); Container: Tape reel smd
中文描述： 500 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SMD, SC-75, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/11頁
文件大?。?/td> 110K
代理商： PBSS2540E,115
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2005
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Date of release: 4 May 2005
Document number: 9397 750 15063
Published in The Netherlands
Philips Semiconductors
PBSS2540E
40 V, 500 mA NPN low VCEsat (BISS) transistor
17. Contents
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PBSS2540M,315 40 V, 0.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor; Package: SOT883 (SC-101); Container: Tape reel smd
PBU602 6 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
PBW.3K.93C.CLCT90Z 9/125 um, SINGLE MODE, SIMPLEX FIBER OPTIC CONNECTOR, SOCKET
PBW.3K.93C.CLCT96Z 9/125 um, SINGLE MODE, SIMPLEX FIBER OPTIC CONNECTOR, SOCKET
PEW.3K.93C.CLCT90Z 9/125 um, SINGLE MODE, SIMPLEX FIBER OPTIC CONNECTOR, SOCKET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PBSS2540F 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-490
PBSS2540F,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PBSS2540M 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:40 V. 0.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor
PBSS2540M T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
PBSS2540M,315 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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