參數(shù)資料
型號(hào)： P0120004P
廠商： SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC.
英文描述： 1.5W GaAs Power FET (Pb-Free Type)
中文描述： 1.5W GaAs功率場(chǎng)效應(yīng)管（無鉛型）
文件頁數(shù)： 6/13頁
文件大?。?/td> 599K
代理商： P0120004P
NF Characteristics
Technical Note
P0120004P
1.5W GaAs Power FET (Pb-Free Type)
SUMITOMO ELECTRIC
-
[Note]
The data for Smith charts were measured at frequency of 2GHz and Tc of 25°C.
1.8
1.26
0.61
-147.7
0.09
2.0
1.66
0.56
-115.4
0.27
Ids=400mA
Ids=350mA
Ids=300mA
Specifications and information are subject to change without notice. 2003-11
Sumitomo Electric Industries, Ltd. 1,Taya-cho, Sakae-ku, Yokohama, 244-8588 Japan
Phone: +81-45-853-7263 Fax: +81-45-853-1291 e-mail :
GaAsIC-ml@ml.sei.co.jp
Web Site:
www.sei.co.jp/GaAsIC/
0
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5
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1.66
2.16
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-0.2
0
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0
0
0
0
1.58
2.08
-
1
10.0
-
-
-
20
-
30
4.0
-0.2
0
-04
0
-.
-
Vds=6V
Ids=400mA
Associated
Gain(dB)
Vds=6V
Ids=300mA
Associated
Gain(dB)
Mag
0.24
0.30
0.35
0.43
0.48
0.56
0.61
0.63
0.57
Ang(deg)
-58.4
17.2
66.2
101.1
132.9
159.1
-173.6
-147.0
-114.7
Mag
0.24
0.27
0.29
0.39
0.43
0.52
0.56
0.59
0.53
Ang(deg)
-65.3
8.6
60.5
98.0
130.4
156.8
-175.1
-148.9
-115.4
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0.62
0.55
0.69
0.87
1.13
1.14
1.21
1.35
1.78
0.09
0.13
0.16
0.14
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0.05
0.04
0.10
0.31
20.7
18.9
17.2
15.9
14.7
14.0
13.2
12.4
11.4
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
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1.8
2.0
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1.19
1.58
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20.6
18.7
16.9
15.7
14.5
13.8
13.1
12.3
11.4
Vds=6V
Ids=350mA
Associated
Gain(dB)
Mag
0.24
0.28
0.19
0.39
0.45
0.54
0.58
Ang(deg)
-65.0
12.9
65.8
100.7
132.2
158.3
-174.1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
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1.07
1.12
0.08
0.12
0.16
0.12
0.10
0.05
0.04
20.6
18.8
16.4
15.7
14.7
14.0
13.2
12.4
11.5
Freq.
(GHz)
NFmin
(dB)
Γ
opt
Rn/50
Freq.
(GHz)
NFmin
(dB)
Γ
opt
Rn/50
Freq.
(GHz)
NFmin
(dB)
Γ
opt
Rn/50
0
0.5
1.0
Frequency (GHz)
1.5
2.0
2.5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
N
Ids=400mA
Ids=350mA
Ids=300mA
-6-
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PDF描述
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P0120CN 5DA4 制造商:STMicroelectronics 功能描述:P0120CN 5DA4 - Tape and Reel
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